两酸抛光配方-两酸抛光-昆山韩铝化学2

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抛光液是一种不含任何硫、磷、氯添加剂的水溶性抛光剂，具有良好的去油污，防锈，清洗和增光性能，并能使金属制品超过原有的光泽。产品性能稳定、无毒，对环境无污染等优点。包括棘轮扳手、开口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺丝刀等，两酸抛光剂，铅锡合金、锌合金等金属产品经过研磨以后，再使用抛光剂配合振动研磨光饰机，滚桶式研磨光式机进行抛光。1、抛光剂投放量为（根据不同产品的大小，光饰机的大小和各公司的产品光亮度要求进行适当配置）；2、抛光时间：根据产品的状态来定；3、抛光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。

化学抛光溶液：

化学抛光液的成分随抛光材料的不同而不同。一般为混合酸液。化学抛光溶液由氧化剂和粘滞剂组成。氧化剂起抛光作用，两酸抛光配方，它们是酸类和。常用的酸类有：正磷酸、铬酸、硫酸、醋酸、、等等。粘滞剂用于控制溶液中的扩散和对流速度，两酸抛光，使化学抛光过程均匀进行。

化学抛光操作步骤

1：试样准备：试样经精磨光后清洗。

2：配置化学抛光溶液。化学抛光溶液应在烧杯中调配，根据试样材料选择化学抛光液配方，两酸抛光哪家好，配溶液时应用蒸馏水，药品用化学纯试剂。某些不易溶于水的药品需要加热溶液才能溶解。和腐蚀性很强，调配时需注意安全。化学抛光溶液经使用之后，溶液内金属离子增多，抛光作用减弱，如果发现作用缓慢，气泡减少，应更换新药液。

3：试样用竹夹或者木夹夹住浸入抛光液中，一边搅动并适时取出观察至达到抛光要求后取出。

4：化学抛光结束之后，试样应立即清洗、吹干。

CMP技术的概念是1965年由Manto提出。该技术是用于获取高质量的玻璃表面，如望远镜等。1988年IBM开始将CMP技术运用于4MDRAM 的制造中，而自从1991年IBM将CMP成功应用到64MDRAM 的生产中以后，CMP技术在世界各地迅速发展起来。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法，CMP通过化学的和机械的综合作用，从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。