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化学抛光的优缺点：
1：优点： 操作简便、快速，无需仪器。抛光后试样表面无变形层，可抛光经镶嵌后的试样，也可同时抛光试样的纵、横断面。化学抛光时兼有化学侵蚀作用，因此多数情况下能同时显示组织，抛光结束之后可以观察组织，不需再做侵蚀显示。
2：缺点：抛光液容易失效，溶液消耗快。抛光结果不是太佳，试样的棱角易受蚀损，抛光面易出现微小波纹起伏，抛光剂厂家，高倍观察时受到影响
半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，抛光剂哪家好，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。
温度.对化学抛光的效率和表面质量有重要的影响.温度高抛光加速，马鞍山抛光剂，但产生较多的气体，有可能产生气体缺陷.对于新配制的化学抛光槽液，温度不宜太高；若溶铝量达到平衡时操作温度宜高些.随着溶铝量的增加，要维持一定的抛光效率就要提高槽液的温度，如果槽液温度超过设定的上限温度105℃，仍不能得到满意的光亮度，应根据化验结果调整槽液浓度或相对密度.此外，还要注意保持槽液各处温度的均匀性.
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