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这两个概念主要出半导体加工过程中，的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，化学抛光剂厂家，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。
抛光加工的特点
1、抛光可提高工件和抗腐蚀的性能。
2、抛光也可以作为一道中间工序，为油漆、电镀等后道工序提供漆膜、镀层附着能力强的表面。
3、抛光是一种应用广泛的磨料加工方法，金属及非金属材料制品，精密机电产品，化学抛光剂销售，日常生活用品，均可采用抛光加工来提高表面质量。
4、 抛光一般不用特殊设备，工具盒加工方法也比较简单，成本低。
5、由于抛光轮是弹性的，能与曲面吻合，容易实现曲面抛光，化学抛光剂，便于对模具型腔进行光正加工。
化学抛光溶液：
化学抛光液的成分随抛光材料的不同而不同。一般为混合酸液。化学抛光溶液由氧化剂和粘滞剂组成。氧化剂起抛光作用，它们是酸类和。常用的酸类有：正磷酸、铬酸、硫酸、醋酸、、等等。粘滞剂用于控制溶液中的扩散和对流速度，使化学抛光过程均匀进行。
化学抛光操作步骤
1：试样准备：试样经精磨光后清洗。
2：配置化学抛光溶液。化学抛光溶液应在烧杯中调配，根据试样材料选择化学抛光液配方，配溶液时应用蒸馏水，药品用化学纯试剂。某些不易溶于水的药品需要加热溶液才能溶解。和腐蚀性很强，调配时需注意安全。化学抛光溶液经使用之后，化学抛光剂哪家好，溶液内金属离子增多，抛光作用减弱，如果发现作用缓慢，气泡减少，应更换新药液。
3：试样用竹夹或者木夹夹住浸入抛光液中，一边搅动并适时取出观察至达到抛光要求后取出。
4：化学抛光结束之后，试样应立即清洗、吹干。
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